HEMT(高電子移動度トランジスタ)とは

解説の中の「HEMT(高電子移動度トランジスタ)」

• GaN HEMTでは、AlGaNとGaNの界面に、自発分極とピエゾ分極の差によって約10¹³ cm⁻²もの高密度の2次元電子ガス(2DEG)が生じます。

  GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。

• HEMTは、ヘテロ接合の界面にできる2次元電子ガスをチャネルとし、電子を供給する不純物と電子が走る層を分けている(変調ドープ)ため不純物散乱が少なく、高周波で低雑音の増幅ができます。

  HEMT(高電子移動度トランジスタ)が用いられる代表的な用途はどれか。

• 高出力のGaN HEMTはゲート付近に熱が集中し、温度が上がると性能や寿命が低下します。

  GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。

「HEMT(高電子移動度トランジスタ)」が出てくる問題(15問)

1. GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。
2. HEMT(高電子移動度トランジスタ)が用いられる代表的な用途はどれか。
3. GaN HEMTの基板としてSiCが使われる主な理由の一つはどれか。
4. ノーマリーオン型のGaN HEMTを、ノーマリーオフの動作で安全に使うために、低耐圧のシリコンMOSFETと直列に組み合わせる構成はどれか。
5. GaN HEMT用のエピ構造で、チャネルの下のGaNバッファ層に炭素や鉄を添加する主な目的はどれか。
6. デプレッション型MOSFETの特徴として正しいものはどれか。
7. パワーデバイスで、ゲート電圧が0 Vのときに電流が流れない「ノーマリーオフ」特性が求められる主な理由はどれか。
8. InP(リン化インジウム)系の化合物半導体が主に使われる用途はどれか。
9. AlGaAsのような混晶半導体の利点として正しいものはどれか。
10. GaNが高周波・高出力のトランジスタに適している理由として正しいものはどれか。
11. 現在普及しているGaNパワーデバイスの多くが採用している構造はどれか。
12. InP基板の上に、組成を調整したInGaAsを格子整合させて成長させる利点として正しいものはどれか。
13. GaAsの高周波トランジスタとして使われてきたMESFETのゲートの構造として正しいものはどれか。
14. MBE(分子線エピタキシー)の特徴として正しいものはどれか。
15. GaNのドライエッチングに一般的に使われるガスはどれか。

関連する用語

GaN(窒化ガリウム) 2次元電子ガス(2DEG) GaAs(ガリウムヒ素) ノーマリーオフ バンドギャップ 移動度 InP(リン化インジウム) HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) オン抵抗 SiC(炭化ケイ素)