InP(リン化インジウム)란?
りんかいんじうむ
インジウムとリンからなる化合物半導体。InGaAsなどを格子整合させて成長させる基板として、光ファイバ通信用のレーザーや受光素子、高速のトランジスタに使われる。
일본어 명칭: InP(リン化インジウム)
InP(リン化インジウム)은(는) 화합물 반도체 등 1개 분야의 연습 문제 8개에 나와요.
분야: 화합물 반도체
도전해 보기: InP(リン化インジウム) 관련 문제
InP(인화인듐)계 화합물 반도체가 주로 사용되는 용도는?
- A광섬유 통신용 레이저와 수광 소자
- B태양전지용 다결정 기판
- CDRAM의 커패시터
InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?
- ADRAM의 메모리 셀
- B광통신이나 무선통신의 고속·고주파 회로
- C태양열 발전
해설 속 InP(リン化インジウム)
InP 기판 위에 만드는 InGaAsP 등은 조성을 바꾸어 밴드갭을 조정할 수 있으며, 광섬유의 손실이 작은 1.3 µm 대(분산이 작음)와 1.55 µm 대(손실이 약 0.2 dB/km로 최소)의 빛을 발광·수광할 수 있습니다.
InP(인화인듐)계 화합물 반도체가 주로 사용되는 용도는?GaAs계(InGaP/GaAs) HBT는 단일 전원으로 동작하고 효율이 높아 스마트폰 송신용 파워 앰프의 주류이며, InP계 HBT는 수백 GHz의 fT를 살려 100 Gb/s 이상 광통신의 전자 회로나 테라헤르츠대 연구에 사용됩니다.
InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?In0.53Ga0.47As처럼 조성을 조정하면 InGaAs의 격자 상수를 InP(약 0.587 nm)와 거의 일치시킬 수 있습니다(격자 정합).
InP 기판 위에 조성을 조정한 InGaAs를 격자 정합시켜 성장시킬 때의 이점으로 올바른 것은?GaAs, InP, AlN, InSb 등도 같은 계열입니다.
III-V족 화합물 반도체로 분류되는 것은?화합물 반도체는 2종류 이상의 원소 비율을 정확히 유지해야 하고 비소나 인이 증발하지 않도록 고압에서 성장시켜야 하는 등, 크고 결함이 적은 단결정을 만들기 어려워 GaAs는 150 mm 정도, InP는 100~150 mm가 일반적입니다.
GaAs 등 화합물 반도체 웨이퍼의 일반적인 직경에 대해 올바른 것은?
InP(リン化インジウム)이(가) 나오는 문제 (8)
- InP(인화인듐)계 화합물 반도체가 주로 사용되는 용도는?
- InP나 GaAs를 사용한 HBT(이종 접합 바이폴라 트랜지스터)가 사용되는 용도의 예로 올바른 것은?
- InP 기판 위에 조성을 조정한 InGaAs를 격자 정합시켜 성장시킬 때의 이점으로 올바른 것은?
- III-V족 화합물 반도체로 분류되는 것은?
- GaAs 등 화합물 반도체 웨이퍼의 일반적인 직경에 대해 올바른 것은?
- 실리콘과 비교했을 때 GaAs의 열전도율로 올바른 것은?
- 실리콘 포토닉스에서 레이저 광원에 화합물 반도체를 조합하는 이유로 올바른 것은?
- AlGaAs와 같은 혼정 반도체의 격자 상수가 조성에 대해 거의 직선적으로 변한다는 경험칙을 무엇이라고 하는가?
관련 용어
GaAs(ガリウムヒ素) GaN(窒化ガリウム) SiC(炭化ケイ素) HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ) HEMT(高電子移動度トランジスタ) CMOS 2次元電子ガス(2DEG) 量子井戸 直接遷移型 混晶半導体