III-V族化合物半導体とは
さんごぞくかごうぶつはんどうたい
III族元素(Ga、In、Alなど)とV族元素(As、P、Nなど)からなる半導体。GaAs、InP、GaNなど。
この用語の分野: 化合物半導体
解説の中の「III-V族化合物半導体」
GaNはIII族のガリウム(Ga)とV族の窒素(N)からなるIII-V族化合物半導体です。
III-V族化合物半導体に分類されるものはどれか。InGaAsなどのIII-V族化合物半導体は電子の移動度がシリコンの数倍以上と大きく、低い電圧でも大きな電流を流せると期待されてきました。
将来のnMOSのチャネル材料として、InGaAsなどのIII-V族化合物半導体が研究されてきた主な理由はどれか。GaAsは、III族のガリウム(Ga)とV族のヒ素(As)が1対1で結合したIII-V族化合物半導体です。
ガリウムヒ素(GaAs)を構成する元素の組み合わせとして正しいものはどれか。
「III-V族化合物半導体」が出てくる問題(3問)
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