什麼是High-k／金屬閘極

正確答案：A. 嵌入式快閃記憶體

微控制器一直將儲存程式與資料的嵌入式快閃記憶體與邏輯電路混載在同一晶片上。斷電後內容仍保留，出貨後也能更新韌體。然而浮動閘極的形成等製程步驟多，在 28 nm 前後之後的世代，以及與 High-k／金屬閘極的混載都很困難，因此正逐漸被可用較少製程步驟製作的 MRAM 與 ReRAM 取代。

正確答案：A. 先進邏輯製程中嵌入式快閃記憶體的製造變得困難，而可在後段製程製作的 MRAM 成為替代候選

嵌入式快閃記憶體因浮動閘極的形成等，需要追加 10 片以上的光罩，在 28 nm 前後之後的世代，以及與 High-k／金屬閘極的組合中，已難以實現。MRAM 可在後段製程中途製作 MTJ，追加的光罩也只要數片，因此台積電與三星等晶圓代工廠在 22 nm 以下提供嵌入式 MRAM。在車用微控制器等的採用持續增加。