信頼性

High-k/メタルゲートのnMOSトランジスタで、ゲートに正の電圧と高温が加わり続けるとしきい値電圧が変化していく劣化を何と呼ぶか。

  1. Aラッチアップ
  2. BPBTI(正バイアス温度不安定性)
  3. Cエレクトロマイグレーション
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正解：B. PBTI(正バイアス温度不安定性)

PBTIは、nMOSに正のゲート電圧と高温が加わることで、High-k膜の中の欠陥に電子が捕獲され、しきい値電圧が上がっていく劣化です。SiO2のゲート絶縁膜では小さかったものの、High-k材料の導入で問題になりました。pMOSで起こるNBTIと対になる現象です。

  • A. ラッチアップは寄生サイリスタによる大電流の現象です。
  • B. 正しい。nMOSで起こる正バイアスの温度不安定性です。
  • C. エレクトロマイグレーションは配線の金属原子の移動です。
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信頼性のほかの問題

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