MRAMとは

解説の中の「MRAM」

• MRAMは、2つの磁性層で厚さ1 nm程度の絶縁層をはさんだ磁気トンネル接合(MTJ)を使います。

  MRAMの記憶原理として正しいものはどれか。

• MRAMは磁化の向きで記憶するため、酸化膜の劣化を伴うフラッシュより書き換え回数がはるかに多く(10¹⁰回以上)、書き込みも数〜数十nsと高速で、消去の手順も不要です。

  フラッシュメモリと比べたときのMRAMの一般的な利点として正しいものはどれか。

• 2004年に日本の産総研とIBMがそれぞれ発表したこの技術で0と1の抵抗差が大きくなり、HDDの読み取りヘッドが大容量化し、MRAMの実用化にもつながりました。

  MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)で、トンネル障壁層として広く使われ、大きなトンネル磁気抵抗比が得られる材料はどれか。

「MRAM」が出てくる問題(19問)

1. MRAMの記憶原理として正しいものはどれか。
2. フラッシュメモリと比べたときのMRAMの一般的な利点として正しいものはどれか。
3. MRAMの磁気トンネル接合(MTJ)で、トンネル障壁層として広く使われ、大きなトンネル磁気抵抗比が得られる材料はどれか。
4. MRAMが、マイコンなどの組み込み不揮発メモリとして注目されている理由の一つとして正しいものはどれか。
5. MRAMで、記憶素子(MTJ)を小さくしすぎると問題になりやすいことはどれか。
6. MRAMのデータの読み出し方法として正しいものはどれか。
7. MRAMの記憶素子(MTJ)は、ロジックLSIのどの工程でつくり込むのが一般的か。
8. MRAMの「M」が表すものとして正しいものはどれか。
9. MRAMで1ビットの情報を記憶する素子として使われる、2つの磁性層で薄い絶縁層を挟んだ構造を何と呼ぶか。
10. MRAMを使うときに注意が必要な外部環境として正しいものはどれか。
11. MRAMやFeRAMが宇宙機器など放射線の多い環境で使われることがある理由として正しいものはどれか。
12. MRAMの書き込みエネルギーを下げる方法として研究されている、電圧で磁性層の磁気異方性を変える効果はどれか。
13. マイコンのプログラムを格納するために、ロジック回路と同じチップに混載されてきた不揮発メモリはどれか。
14. FeRAM(強誘電体メモリ)が情報の記憶に利用している性質はどれか。
15. STT-MRAMで情報を書き込む方法として正しいものはどれか。

関連する用語

磁気トンネル接合(MTJ) PCM(相変化メモリ) マイコン(マイクロコントローラ) TMR比 FeRAM(強誘電体メモリ) ReRAM(抵抗変化メモリ) フローティングゲート High-k/メタルゲート ファウンドリ CMOS