ポリシリコンゲートで、ゲート電極側のポリシリコンが空乏化することによる問題として正しいものはどれか。

正解：C. 実効的なゲート絶縁膜が厚くなったのと同じことになり、駆動電流が低下する

ポリシリコンは半導体なので、ゲートに電圧をかけるとゲート電極側にも薄い空乏層ができます。この空乏層が直列の容量として働き、実効的なゲート絶縁膜が厚くなったのと同じ効果を生み、駆動電流が下がります。メタルゲートの導入により、この問題は解消されました。