High-k/メタルゲートのトランジスタで、シリコンとHigh-k膜(ハフニウム系酸化膜など)の間に、ごく薄いSiO2などの層を設けることが多い理由はどれか。

正解：A. シリコンとの界面の品質を保ち、移動度の低下などを抑えるため

High-k膜をシリコンに直接つけると、界面の欠陥やHigh-k膜中の電荷・振動の影響で、チャネルの移動度が下がりやすくなります。そこで1 nm程度以下のSiO2などの界面層(IL)を挟み、良好な界面を保ちます。ただし界面層は比誘電率が低いため、EOTを下げるには極力薄くする必要があります。

• A. 正しい。界面の品質を保つための層です。
• B. 界面層は比誘電率が低く、ゲート容量はむしろ下がる方向です。
• C. ゲート電極の抵抗とは関係ありません。