GaN HEMT用のエピ構造で、チャネルの下のGaNバッファ層に炭素や鉄を添加する主な目的はどれか。

正解：B. バッファ層を高抵抗にして、オフ時のリーク電流や短チャネル効果を抑える

意図せず取り込まれるドナーのためにGaNはn型になりやすく、バッファ層を電流が流れるとオフにしにくくなります。炭素や鉄を添加して深い準位で電子を捕獲させ、バッファ層を高抵抗にします。ただし、捕獲された電荷が電流の一時的な低下(電流コラプス)の原因になることもあり、添加量の調整が重要です。

• A. 発光させるためではありません。
• B. 正しい。高抵抗化してリークを抑えます。
• C. 目的は逆で、バッファ層を高抵抗にします。