化合物半導体

GaAsの高周波トランジスタとして使われてきたMESFETのゲートの構造として正しいものはどれか。

  1. A厚い酸化膜の上にゲートを置くMOS構造
  2. BPN接合をゲートにする構造
  3. C金属を半導体に直接接触させたショットキー接合をゲートにする構造
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正解：C. 金属を半導体に直接接触させたショットキー接合をゲートにする構造

MESFET(Metal-Semiconductor FET)は、ゲート電極の金属を半導体に直接接触させたショットキー接合をゲートとして使います。GaAsには良質な絶縁膜をつくりにくいため、MOS構造ではなくこの構造が使われ、携帯電話などの高周波回路に広く用いられてきました。

  • A. MOS構造ではなく、金属を直接接触させた構造です。
  • B. PN接合をゲートにするのは接合型FET(JFET)です。
  • C. 正しい。ショットキー接合をゲートに使います。
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