化合物半導体
現在普及しているGaNパワーデバイスの多くが採用している構造はどれか。
- ASi基板などの上につくる横型のHEMT構造
- B縦型のサイリスタ構造
- Cバイポーラトランジスタ構造
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正解：A. Si基板などの上につくる横型のHEMT構造
現在のGaNパワーデバイスの多くは、Si基板などの上にGaNをエピタキシャル成長させ、2次元電子ガスを使う横型のHEMTとしてつくられています。中耐圧(数百V程度)の電源などで普及しています。さらに高耐圧向けに、GaN基板を使った縦型のデバイスも研究されています。