2次元電子ガス(2DEG)とは

解説の中の「2次元電子ガス(2DEG)」

• GaN HEMTでは、AlGaNとGaNの界面に、自発分極とピエゾ分極の差によって約10¹³ cm⁻²もの高密度の2次元電子ガス(2DEG)が生じます。

  GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。

• HEMTは、ヘテロ接合の界面にできる2次元電子ガスをチャネルとし、電子を供給する不純物と電子が走る層を分けている(変調ドープ)ため不純物散乱が少なく、高周波で低雑音の増幅ができます。

  HEMT(高電子移動度トランジスタ)が用いられる代表的な用途はどれか。

• さらにHEMT構造で約10¹³ cm⁻²の高密度な2次元電子ガスが得られるため電流密度も大きく、GaAsより数倍の電力密度が得られます。

  GaNが高周波・高出力のトランジスタに適している理由として正しいものはどれか。

「2次元電子ガス(2DEG)」が出てくる問題(5問)

1. GaN HEMTで電流が流れるチャネルとして正しいものはどれか。
2. HEMT(高電子移動度トランジスタ)が用いられる代表的な用途はどれか。
3. GaNが高周波・高出力のトランジスタに適している理由として正しいものはどれか。
4. GaNの代表的な結晶構造はどれか。
5. GaN HEMT用のエピ構造で、チャネルの下のGaNバッファ層に炭素や鉄を添加する主な目的はどれか。

関連する用語

GaN(窒化ガリウム) HEMT(高電子移動度トランジスタ) GaAs(ガリウムヒ素) 移動度 オン抵抗 ウルツ鉱型構造 量子井戸 ドナー MMIC 効率ドループ