エピタキシャル成長

MBE(分子線エピタキシー)の特徴として正しいものはどれか。

  1. A大気圧で厚い膜を高速に成長させる
  2. B超高真空中で原料を分子線として基板に供給し、膜厚や組成を原子層レベルで精密に制御できる
  3. C液体の原料にウエハを浸して成長させる
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正解：B. 超高真空中で原料を分子線として基板に供給し、膜厚や組成を原子層レベルで精密に制御できる

MBEは、超高真空の装置内で原料を加熱して分子(原子)の線として基板に当て、結晶を成長させる方法です。成長の様子をその場で観察しながら、原子層単位で膜厚や組成を制御できるため、研究開発や高性能な化合物半導体デバイスに使われます。成長速度は遅く、量産性はMOCVDに劣ります。

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