化合物半導体

GaNが高周波・高出力のトランジスタに適している理由として正しいものはどれか。

  1. Aバンドギャップが大きく絶縁破壊電界が高いうえ、電子の飽和速度も高いため
  2. B熱をまったく発生しないため
  3. Cシリコンより安価なため
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正解：A. バンドギャップが大きく絶縁破壊電界が高いうえ、電子の飽和速度も高いため

GaNは絶縁破壊電界が高いため高い電圧で動作でき、電子の飽和速度も高いため高い周波数で大きな電力を扱えます。さらにHEMT構造で高密度の2次元電子ガスが得られるため、携帯電話の基地局やレーダーの電力増幅器などに使われています。

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