化合物半導体

ガリウムヒ素(GaAs)のバンド構造として正しいものはどれか。

  1. A直接遷移型
  2. B間接遷移型
  3. Cバンドギャップをもたない
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正解：A. 直接遷移型

GaAsは直接遷移型の半導体で、電子と正孔が再結合するときに効率よく光を出します。そのため赤外LEDや半導体レーザーに使われます。シリコンは間接遷移型で、再結合に格子振動(フォノン)が関わるため、発光効率がきわめて低くなります。

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