GaAsのような極性をもつ化合物半導体を、無極性のシリコン基板の上に成長させるときに生じやすい、結晶の中でGaとAsの並びが反転した領域の境界を何と呼ぶか。

正解：A. 反位相境界(APB)

シリコンの表面に1原子層の段差があると、その両側でGaとAsの位置が入れ替わった領域が成長し、その境界に反位相境界(APB)ができます。APBは電気的な欠陥になるため、オフ角のついた基板で2原子層の段差をそろえるなどの対策がとられます。

• A. 正しい。原子の並びが反転した領域の境界です。
• B. 双晶境界は鏡映対称の関係にある結晶の境界です。
• C. 粒界は結晶の向きが異なる結晶粒の境界です。