半導体物性

熱平衡状態の半導体における電子密度nと正孔密度pの積(n×p)として正しいものはどれか。(ni:真性キャリア密度)

  1. A常に0になる
  2. Bni の2乗に等しい
  3. C不純物濃度の2乗に等しい
答えと解説を見る

正解:B. ni の2乗に等しい

熱平衡状態では、不純物を添加していても n × p = ni² が成り立ちます(質量作用の法則)。例えばドナーを添加して電子密度nを増やすと、その分だけ正孔密度pは減ります。少数キャリア密度を求める計算でよく使う関係です。

この分野を解く 分野ページへ

半導体物性のほかの問題

  1. 半導体中で拡散電流が流れる原因として正しいものはどれか。
  2. シリコン中の少数キャリアのライフタイム(寿命)を短くする要因として代表的なものはどれか。
  3. シリコン単結晶の結晶構造はどれか。
  4. 移動度1000 cm²/V·sの電子に、100 V/cmの電界をかけたときのドリフト速度はいくらか。
  5. 結晶中の電子の運動を、外力に対する応答から自由電子と同じように扱うために導入される質量を何と呼ぶか。