半導体物性
ドナー濃度1×10¹⁶ cm⁻³のn型シリコン(ドナーはすべてイオン化、真性キャリア密度ni = 1×10¹⁰ cm⁻³)の正孔密度はおよそいくらか。
- A1×10⁴ cm⁻³
- B1×10⁶ cm⁻³
- C1×10¹⁰ cm⁻³
答えと解説を見る
正解：A. 1×10⁴ cm⁻³
電子密度はドナー濃度とほぼ等しく n ≈ 1×10¹⁶ cm⁻³ です。質量作用の法則 n × p = ni² より、p = (1×10¹⁰)² / 1×10¹⁶ = 1×10⁴ cm⁻³ となります。多数キャリアに比べて、少数キャリアは非常に少なくなります。