配線プロセス

配線の溝とビアを同時にCuで埋め込み、1回のCMPで形成する方法を何と呼ぶか。

  1. Aシングルダマシン法
  2. Bエッチバック法
  3. Cデュアルダマシン法
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正解:C. デュアルダマシン法

デュアルダマシン法では、絶縁膜にビアの穴と配線の溝の両方を形成してから、バリア層、シード層、Cuめっきでまとめて埋め込み、1回のCMPで仕上げます。ビアと配線を別々につくるシングルダマシン法より工程数が少なく、ビアと配線の界面もなくなります。

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配線プロセスのほかの問題

  1. Cuを電解めっきで埋め込む前に、スパッタリングで薄く形成するCu膜の役割として正しいものはどれか。
  2. Cuの埋め込みが不十分で、ビアの中に空洞(ボイド)が残ると起こる問題として正しいものはどれか。
  3. 同じ層で隣り合う配線の間隔を半分にすると、その配線間の容量はおよそどうなるか。(平行平板として近似する)
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  5. 抵抗率2 µΩ·cmの配線で、長さ1 mm、幅と厚さがそれぞれ100 nmのときの抵抗はおよそいくらか。