配線プロセス
Cu配線の形成に一般的に用いられるダマシン法の説明として正しいものはどれか。
- ACu膜をドライエッチングで直接パターニングする
- B絶縁膜に溝を形成してCuを埋め込み、余分なCuをCMPで除去する
- CCuを熱酸化して配線の形状をつくる
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正解:B. 絶縁膜に溝を形成してCuを埋め込み、余分なCuをCMPで除去する
ダマシン法では、まず絶縁膜に配線の形の溝を掘り、バリア層とシード層を成膜したあと、めっきでCuを埋め込みます。最後にCMPで表面の余分なCuを削り取ると、溝の中にだけ配線が残ります。溝とビアを一度に埋め込む方法はデュアルダマシン法と呼ばれます。