Depositiemethode waarbij met de wafer als kathode in een plateerbad stroom wordt geleid en metaal neerslaat. Wordt gebruikt om sleuven voor Cu-bedrading te vullen; met additieven wordt geregeld dat ze van onderaf vollopen.
Japanse benaming: 電解めっき
“Elektrolytisch plateren (ECP)” komt voor in 3 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Interconnectprocessen.
Vakgebied: Laagafzetting (CVD, PVD)
Antwoord: B. Een geleidende laag (seedlaag) om de plateerstroom te laten vloeien
Bij elektrolytisch plateren vloeit een stroom door het waferoppervlak om Cu-ionen te reduceren en af te zetten, dus een ononderbroken geleidende laag tot op het binnenoppervlak van de sleuven is nodig. De barrièrelaag (TaN/Ta) heeft een hoge weerstand en het plateren begint daarop niet gelijkmatig, dus wordt daarop door sputteren een dunne Cu-seedlaag van enkele tientallen nm gemaakt en daarna met plateren Cu gevuld. In fijne sleuven is het moeilijk om een seedlaag te maken die dun genoeg is om de opening niet te sluiten en tegelijk tot de bodem ononderbroken is; ook worden onder meer ruthenium-liners gebruikt.
Antwoord: C. Self-anneal (zelfgloeien)
Een Cu-film direct na het plateren heeft kleine, onstabiele kristalkorrels van enkele tientallen nm door opname van onder meer additieven, en herkristalliseert bij kamertemperatuur binnen enkele uren tot dagen, waarbij de korrels tot ongeveer 1 µm groeien en de soortelijke weerstand ongeveer 20% daalt. Dit is self-anneal. Omdat eigenschappen en polijstsnelheid met de wachttijd veranderen, wordt na het plateren gewoonlijk een warmtebehandeling bij ongeveer 100-400 °C uitgevoerd om de korrelgroei af te ronden, waarna CMP volgt.
Bij elektrolytisch plateren vloeit een stroom door het waferoppervlak om Cu-ionen te reduceren en af te zetten, dus een ononderbroken geleidende laag tot op het binnenoppervlak van de sleuven is nodig.
Wat is de juiste functie van de dunne Cu-film die vóór het …Bij het damascene-proces worden eerst sleuven in de vorm van de bedrading in een isolatiefilm gemaakt, daarna worden een barrièrelaag en een Cu-seedlaag door sputteren aangebracht en wordt Cu door elektrolytisch plateren ingevuld.
Welke omschrijving van het damascene-proces, dat algemeen w…Sputteren Seedlaag CMP Numerieke apertuur (NA) Damascene-proces Via ALD (atomic layer deposition) CVD Elektrostatische chuck (ESC) Gebiedsselectieve depositie (area-selective deposition)