Wat is het belangrijkste doel van de sputtermethode waarbij gesputterde atomen worden geïoniseerd en door een op de wafer aangelegde bias loodrecht worden aangetrokken?

Antwoord: A. De bodemdekking in diepe gaten en sleuven verbeteren (bottom coverage)

Bij gewoon sputteren komen de atomen uit allerlei richtingen, zodat op de bodem van diepe gaten moeilijk een laag ontstaat. Bij geïoniseerd sputteren (iPVD) worden de uit het target geslagen atomen in een plasma met hoge dichtheid geïoniseerd en door de op de wafer aangelegde bias loodrecht aangetrokken, zodat ook de bodem van gaten met een hoge aspectverhouding gemakkelijker wordt bedekt. Bovendien kan de laag op de bodem opnieuw worden gesputterd en naar de zijwand worden verplaatst; het wordt gebruikt voor het vormen van barrière- en seedlagen van Cu-bedrading.