Wat is Shadowing?

Verschijnsel waarbij bij implantatie met gekantelde wafer delen in de schaduw van hoge patronen zoals resist niet worden geïmplanteerd.

Japanse benaming: シャドウイング

“Shadowing” komt voor in 2 oefenvragen uit 2 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, Laagafzetting (CVD, PVD).

Vakgebied: Ionenimplantatie

Nu oefenen: vragen over Shadowing

Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?

  1. AChanneling
  2. BGettering
  3. CShadowing
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Shadowing

Als de wafer voor maatregelen tegen channeling of voor halo-implantatie wordt gekanteld, bereiken ionen de delen in de schaduw van hoge resist of gates niet (shadowing). Het geïmplanteerde gebied wordt links-rechts asymmetrisch, wat de oorzaak is dat de transistoreigenschappen aan de source- en drainzijde verschillen. Daarom worden maatregelen genomen zoals implanteren uit 4 richtingen door de wafer telkens 90° te draaien (quad-modus) en wordt de hoogte van de resist en de kantelhoek ontworpen.

Wat is de belangrijkste reden dat bij PVD, zoals sputteren en opdampen, de zijwanden en bodem van diepe sleuven moeilijk met een laag worden bedekt?

  1. ABij PVD bewegen atomen zo dat ze de sleuf vermijden
  2. BOmdat atomen vrijwel rechtlijnig aankomen, bereiken ze delen die vanaf de ingang van de sleuf niet zichtbaar zijn moeilijk
  3. CBij PVD wordt de laag vloeibaar
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Omdat atomen vrijwel rechtlijnig aankomen, bereiken ze delen die vanaf de ingang van de sleuf niet zichtbaar zijn moeilijk

Bij PVD vliegen de atomen die uit het target of de verdampingsbron komen vrijwel rechtlijnig naar het substraat en slaan neer zonder zich veel over het oppervlak te verplaatsen. Daardoor wordt het bovenvlak en de ingang van de sleuf gemakkelijk bedekt, maar bereiken de atomen delen die vanaf de ingang niet zichtbaar zijn, zoals zijwanden en bodem van de sleuf, moeilijk (shadowing). CVD en ALD, waarbij het brongas diep in de sleuf doordringt en de laag door een chemische oppervlaktereactie wordt gevormd, hebben een betere stapdekking.

“Shadowing” in de toelichting

Vragen met “Shadowing” (2)

  1. Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij ionenimplantatie delen niet worden geïmplanteerd omdat ze in de schaduw van hoge patronen zoals resist liggen?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat bij PVD, zoals sputteren en opdampen, de zijwanden en bodem van diepe sleuven moeilijk met een laag worden bedekt?

Verwante termen

Ionenimplantatie Channeling Halo-implantatie (pocket-implantatie) Sputteren CVD ALD (atomic layer deposition) Dosis Faradaycup Gloeien (annealing) Laseranneal

Naar de woordenlijst