Qu'est-ce que Pulvérisation cathodique (sputtering) ?

Type de PVD dans lequel des ions d'un plasma bombardent une cible ; les atomes éjectés se déposent sur la plaquette.

Nom japonais: スパッタリング

« Pulvérisation cathodique (sputtering) » apparaît dans 2 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD), Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).

Domaine: Dépôt (CVD et PVD)

S'entraîner : questions sur Pulvérisation cathodique (sputtering)

Dans quelle catégorie le dépôt par pulvérisation cathodique se classe-t-il ?

  1. APVD (dépôt physique en phase vapeur)
  2. BCVD (dépôt chimique en phase vapeur)
  3. COxydation thermique
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Réponse : A. PVD (dépôt physique en phase vapeur)

La pulvérisation cathodique accélère sous quelques centaines de V les ions d'un plasma, par exemple d'argon, vers une cible ; les atomes éjectés par transfert de quantité de mouvement se déposent sur la plaquette. Phénomène physique sans réaction chimique, elle relève du PVD (dépôt physique en phase vapeur). Elle sert au dépôt des interconnexions métalliques, des barrières (Ta, TiN, etc.), des couches d'amorçage Cu et des électrodes. Le CVD repose sur la réaction chimique de gaz précurseurs, et l'oxydation thermique sur l'oxydation du silicium lui-même.

Quelle description de la cible utilisée en pulvérisation cathodique est correcte ?

  1. AUne plaque constituée du matériau à déposer, dont les atomes sont éjectés par l'impact des ions
  2. BUn mandrin électrostatique servant à maintenir la plaquette
  3. CUn photomasque utilisé pour l'exposition
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Réponse : A. Une plaque constituée du matériau à déposer, dont les atomes sont éjectés par l'impact des ions

La cible est une plaque constituée du matériau à déposer, comme le Ti, le Ta, le Cu ou l'Al. Lorsque les ions Ar du plasma la frappent, les atomes de surface sont éjectés et se déposent sur la plaquette pour former un film. On augmente généralement la vitesse de dépôt par le procédé magnétron, qui confine le plasma grâce à des aimants placés à l'arrière. Les impuretés et l'hétérogénéité des grains se répercutant directement sur le film, la cible doit présenter une grande pureté et une microstructure homogène. C'est une pièce distincte du mandrin électrostatique et du masque.

« Pulvérisation cathodique (sputtering) » dans les explications

Questions mentionnant « Pulvérisation cathodique (sputtering) » (2)

  1. Dans quelle catégorie le dépôt par pulvérisation cathodique se classe-t-il ?
  2. Quelle description de la cible utilisée en pulvérisation cathodique est correcte ?

Comparatifs incluant ce terme

Termes associés

Plasma CVD Oxydation thermique Mandrin électrostatique (e-chuck) ALD Couverture de marche (step coverage) Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating) Dépôt sélectif par zone (area-selective deposition) Évaporation sous vide

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