Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Wat wordt bij sputteren gewoonlijk gedaan om de depositiesnelheid te verhogen?

  1. AHet aan het target toegevoerde vermogen verhogen
  2. BDe gasdruk extreem verhogen
  3. CHet vermogen naar het target op 0 zetten
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Het aan het target toegevoerde vermogen verhogen

Bij een groter aan het target toegevoerd vermogen nemen het aantal en de energie van de ionen die het target raken toe en worden meer atomen losgeslagen, zodat de depositiesnelheid vrijwel evenredig met het vermogen stijgt. Bij targets voor 300 mm wordt soms een vermogen van enkele tientallen kW aangelegd. Het grootste deel van het toegevoerde vermogen wordt echter warmte, dus het target wordt watergekoeld om temperatuurstijging, scheuren en het smelten van de bondinglaag te voorkomen, en ook de invloed op de laagkwaliteit verdient aandacht.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welk voordeel hebben lagen van thermische CVD bij hoge temperatuur gewoonlijk ten opzichte van plasma-CVD-lagen van hetzelfde materiaal?
  2. Welke richtwaarde voor de laagdikte die in één ALD-cyclus wordt afgezet is juist?
  3. Welk voordeel heeft vacuümopdampen waarbij het materiaal met een elektronenbundel wordt verhit?
  4. Welke techniek laat een laag alleen op bepaalde plaatsen groeien door gebruik te maken van verschillen in oppervlaktemateriaal?
  5. Welke richtwaarde voor de dikte van dunne lagen in de halfgeleiderproductie is het meest passend?

Vergelijkingen bij dit onderwerp