Nederlands
Menu

Laagafzetting (CVD, PVD)

Wat is de juiste betekenis van de sputteropbrengst (sputter yield) bij sputteren?

  1. ADe tijd die de depositie kost
  2. BHet aandeel goede producten per wafer
  3. CHet aantal atomen dat per op het target vallend ion wordt losgeslagen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het aantal atomen dat per op het target vallend ion wordt losgeslagen

De sputteropbrengst geeft aan hoeveel atomen per op het target botsend ion worden losgeslagen en bedraagt bij argonionen van enkele honderden eV ruwweg 0,5 tot 3. Ze neemt toe bij hogere ionenenergie en zwaardere ionen (met een massa dichter bij die van de atomen van het target), en ook bij schuine inval. Omdat ze sterk per materiaal verschilt, is de depositiesnelheid onder dezelfde omstandigheden per metaal verschillend, en ze hangt ook samen met de snelheid van sputterverwijdering bij etsen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Laagafzetting (CVD, PVD)

  1. Welke eigenschap van door plasma-CVD afgezette siliciumnitridelagen is juist?
  2. Welk probleem treedt gemakkelijk op wanneer bij het vullen van een smalle sleuf de laag dik wordt afgezet bij de ingang (overhang)?
  3. Wat is het doel van een plaat met veel gaten (collimator) tussen target en wafer in een sputterapparaat?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat bij PVD, zoals sputteren en opdampen, de zijwanden en bodem van diepe sleuven moeilijk met een laag worden bedekt?
  5. Hoe heet het geleidend maken van de laag door tijdens het afzetten van een polysiliciumlaag met LPCVD gelijktijdig een gas met onzuiverheden zoals fosfor toe te voeren?

Vergelijkingen bij dit onderwerp