Doteerstof die elektronen aan een halfgeleider levert. In silicium zijn dit elementen uit groep V, zoals fosfor (P) of arseen (As), die een n-type halfgeleider vormen.
Japanse benaming: ドナー
“Donor” komt voor in 7 oefenvragen uit 4 onderwerpen, bijv. Siliciumwafers, Halfgeleiderfysica, Ionenimplantatie.
Vakgebied: Halfgeleiderfysica
Antwoord: B. Thermische donor
Wanneer CZ-silicium met interstitieel zuurstof bij 350 tot 500 °C wordt verhit, ontstaan clusters van enkele zuurstofatomen die als donor werken en elektronen afgeven (thermische donor). Ze vormen zich het snelst rond 450 °C en bereiken maximaal circa 10¹⁶ cm⁻³, zodat vooral bij p-type wafers met lage concentratie de soortelijke weerstand sterk verandert of het type omslaat naar n. Ze kunnen worden gedoofd met een korte warmtebehandeling bij circa 650 °C of hoger, wat bij de levering van de wafer wordt uitgevoerd.
Wanneer CZ-silicium met interstitieel zuurstof bij 350 tot 500 °C wordt verhit, ontstaan clusters van enkele zuurstofatomen die als donor werken en elektronen afgeven (thermische donor).
Wanneer CZ-silicium rond 450 °C wordt verhit, kunnen zuurst…Zo’n onzuiverheid heet donor en er ontstaat een n-type halfgeleider.
Welke uitspraak is juist wanneer fosfor (P) als dopant aan …De basis van dotering is dat een element uit groep V met één valentie-elektron meer (zoals fosfor) een donor wordt en een element uit groep III met één minder (zoals boor) een acceptor.
Hoeveel valentie-elektronen (buitenste-schilelektronen) hee…Wanneer silicium uit groep IV op de plaats van gallium uit groep III komt, blijft één valentie-elektron over en werkt het als donor, zodat n-type ontstaat.
Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer …De toegevoegde hoeveelheid is zeer gering, zodat de invloed als donor nauwelijks een probleem is.
Welk effect is bekend van het toevoegen van een geringe hoe…Acceptor Ionenimplantatie GaAs (galliumarsenide) Numerieke apertuur (NA) CMOS Auger-recombinatie Bandgap (bandkloof) Diffusielengte Effectieve massa Einstein-relatie