Dopeermethode waarbij onzuiverheidsatomen bij hoge temperatuur de halfgeleider in diffunderen. Ze verspreiden zich van hoge naar lage concentratie.
Japanse benaming: 熱拡散
“Thermische diffusie” komt voor in 7 oefenvragen uit 3 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie, Epitaxiale groei, Oxidatie en diffusie.
Vakgebied: Oxidatie en diffusie
Antwoord: B. Een in de diepte abrupte concentratieverandering is gemakkelijker te maken
Bij thermische diffusie verspreiden onzuiverheden zich vanaf het oppervlak naar binnen, zodat alleen een profiel kan worden gemaakt waarbij de concentratie aan het oppervlak het hoogst is en geleidelijk afneemt. Bij epitaxiale groei kan de concentratie per laag worden veranderd door de hoeveelheid toegevoegd gas om te schakelen, en zijn abrupte veranderingen binnen enkele nm, structuren met een ingebedde laag met hoge concentratie en het omgekeerde profiel (lage concentratie aan het oppervlak, hoge concentratie binnenin) mogelijk. Dit is onmisbaar voor de basis van HBT's en meerlaagsstructuren van vermogenscomponenten.
Antwoord: C. Drive-in (indrijfdiffusie)
Thermische diffusie wordt vaak in twee stappen uitgevoerd: eerst brengt predepositie bij constant gehouden oppervlakteconcentratie een bepaalde hoeveelheid onzuiverheden ondiep aan, en daarna wordt bij drive-in de toevoer gestopt en verhit, zodat die hoeveelheid zich naar binnen verspreidt tot de gewenste diepte en verdeling. Tegenwoordig wordt gewoonlijk ionenimplantatie gebruikt, waarmee de hoeveelheid nauwkeurig kan worden bepaald, gevolgd door warmtebehandeling voor activering en bijstelling van de verdeling, maar bij onder meer zonnecellen en diepe diffusie voor vermogenscomponenten wordt het nog gebruikt.
Bij thermische diffusie verspreiden onzuiverheden zich vanaf het oppervlak naar binnen, zodat alleen een profiel kan worden gemaakt waarbij de concentratie aan het oppervlak het hoogst is en geleidelijk afneemt.
Welk voordeel heeft het toevoegen van onzuiverheden tijdens…Thermische diffusie wordt vaak in twee stappen uitgevoerd: eerst brengt predepositie bij constant gehouden oppervlakteconcentratie een bepaalde hoeveelheid onzuiverheden ondiep aan, en daarna wordt bij drive-in de toevoer gestopt en verhit, zodat die hoeveelheid zich naar binnen verspreidt tot de gewenste diepte en verdeling.
Hoe heet bij thermische diffusie de stap waarmee onzuiverhe…Bij thermische diffusie zijn oppervlakteconcentratie en diepte aan elkaar gekoppeld en was door de hoge temperatuur een oxidemasker nodig.
Wat is het belangrijkste voordeel van ionenimplantatie ten …Bij SiC treedt vrijwel geen thermische diffusie van onzuiverheden op, zodat de belangrijkste lagen van de component worden gevormd met epitaxiale groei en ionenimplantatie.
Waarom is de epitaxiale laag belangrijk bij de fabricage va…Een voordeel is ook dat de thermische diffusie van meerdere uren bij 1000 °C of hoger, zoals bij conventionele diffusiewells, niet nodig is, waardoor thermisch budget en procestijd sterk afnemen.
Hoe heet bij de wellvorming in CMOS de well waarin met hoge…Ionenimplantatie Epitaxiale groei Numerieke apertuur (NA) HBT (heterojunctie-bipolaire transistor) Drive-in Fosfine (PH3) Fotoresist Via SiC (siliciumcarbide) Aan-weerstand (on-resistance)