Verschijnsel waarbij ionen door de openingen tussen de atoomrijen van het kristal gaan en dieper doordringen dan verwacht. Wordt voorkomen door onder meer de wafer te kantelen bij de implantatie.
Japanse benaming: チャネリング
“Channeling” komt voor in 4 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Ionenimplantatie.
Vakgebied: Ionenimplantatie
Antwoord: C. De wafer enkele graden ten opzichte van de kristalas kantelen bij het implanteren
Wanneer ionen langs de atoomrijen van het kristal binnenkomen, passeren ze de ruimten (kanalen) tussen de atoomrijen met weinig botsingen en dringen dieper door dan bedoeld (channeling). Het wordt onderdrukt door de wafer ongeveer 7° ten opzichte van de kristalas te kantelen en ook de rotatiehoek te verschuiven, door via een dunne oxidefilm aan het oppervlak (screen-oxide) de richting te verspreiden, of door het oppervlak vooraf amorf te maken. De diepe staart van de verdeling neemt af en de junctie wordt ondieper.
Wanneer ionen langs de atoomrijen van het kristal binnenkomen, passeren ze de ruimten (kanalen) tussen de atoomrijen met weinig botsingen en dringen dieper door dan bedoeld (channeling).
Welke methode wordt gewoonlijk gebruikt om channeling (het …In werkelijkheid is de verdeling asymmetrisch of strekt de staart zich door channeling naar de diepe kant uit, dus nauwkeurigere verdelingsfuncties en simulaties worden gebruikt.
Welke combinatie van de verdeling die de diepteverdeling va…Als eerst zware ionen zoals germanium of silicium worden geïmplanteerd om het oppervlak tot een diepte van enkele tientallen nm amorf te maken, verdwijnt de atoomorde, zodat channeling van het daarna geïmplanteerde boor en dergelijke wordt onderdrukt en een ondiepe junctie kan worden gemaakt.
Wat is het juiste doel van pre-amorphization implant (PAI)?Als de wafer voor maatregelen tegen channeling of voor halo-implantatie wordt gekanteld, bereiken ionen de delen in de schaduw van hoge resist of gates niet (shadowing).
Hoe heet het verschijnsel dat bij een gekantelde wafer bij …Ionenimplantatie Via Numerieke apertuur (NA) Projected range (Rp) Dosis Pre-amorfisatie-implantatie (PAI) Epitaxiale groei Halo-implantatie (pocket-implantatie) Shadowing Faradaycup