Nederlands
Menu

Verbindingshalfgeleiders

Leer met meerkeuzevragen over de kenmerken van verbindingshalfgeleiders zoals GaAs, GaN en InP en het verschil tussen directe en indirecte bandovergang.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Verbindingshalfgeleiders: kernpunten

Verbindingshalfgeleiders zijn halfgeleiders die uit meerdere elementen bestaan, zoals GaAs (galliumarsenide) en GaN (galliumnitride). Combinaties van elementen uit groep III en groep V (III-V-halfgeleiders) komen het meest voor.

In vergelijking met silicium hebben sommige een hogere elektronenmobiliteit, zenden andere met een directe bandovergang efficiënt licht uit en hebben weer andere een grote bandgap. Ze worden toegepast in hoogfrequentcomponenten, leds en lasers en vermogenscomponenten.

Alle vragen over Verbindingshalfgeleiders (50)
  1. Welke bandstructuur heeft galliumarsenide (GaAs)?
  2. Welke van de volgende halfgeleiders behoort tot de III-V-verbindingshalfgeleiders?
  3. Wat is de belangrijkste reden waarom GaAs wordt gebruikt voor hoogfrequentversterkers in mobiele telefoons?
  4. Waarvoor worden verbindingshalfgeleiders op basis van InP (indiumfosfide) vooral gebruikt?
  5. Welk materiaal wordt vooral gebruikt voor de lichtemitterende laag van blauwe LED's?
  6. Welk voordeel hebben gemengde-kristalhalfgeleiders zoals AlGaAs?
  7. Wat is een typische toepassing van de HEMT (high electron mobility transistor)?
  8. Welk type substraat wordt in GaN-componenten gewoonlijk gebruikt om de GaN-laag op te laten groeien?
  9. Welke uitspraak over galliumoxide (Ga2O3), dat als vermogenshalfgeleider van de volgende generatie wordt onderzocht, is juist?
  10. Wat is de golflengte van het licht dat GaAs met een bandgap van circa 1,42 eV uitzendt, bij benadering?
  11. Welke uitspraak over de gebruikelijke diameter van verbindingshalfgeleiderwafers zoals GaAs is juist?
  12. Welk materiaal wordt typisch gebruikt voor rode tot gele LED's met hoge helderheid?
  13. Welke uitspraak over de kwantumputstructuur in de lichtemitterende laag van halfgeleiderlasers en LED's is juist?
  14. Welke uitspraak over de VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser) is juist?
  15. Waarom is voorzichtigheid geboden bij de behandeling van slijpafval en ander afval van GaAs-wafers?
  16. Waarom is GaN geschikt voor hoogfrequente transistors met hoog vermogen?
  17. Wat is een van de belangrijkste redenen om SiC als substraat voor GaN-HEMT's te gebruiken?
  18. Welk materiaal wordt vooral gebruikt voor de lichtemitterende laag van diep-UV-LED's voor onder meer desinfectie?
  19. Welke uitspraak over zonnecellen met meerdere juncties, waarin lagen van verbindingshalfgeleiders met verschillende bandgap op elkaar zijn gestapeld, is juist?
  20. Welke onzuiverheid wordt typisch gebruikt om p-type lagen in GaN te maken?
  21. Wat is de typische kristalstructuur van GaN?
  22. Welke toepassing is een voorbeeld van het gebruik van HBT's (heterojunction bipolar transistors) op basis van InP of GaAs?
  23. Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer het aan GaAs wordt toegevoegd om n-type te verkrijgen?
  24. Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?
  25. Welke uitspraak over micro-LED-displays is juist?
  26. Welke structuur wordt door de meeste momenteel gangbare GaN-vermogenscomponenten toegepast?
  27. Welke uitspraak over diamant, ook wel de ultieme halfgeleider genoemd, is juist?
  28. Wat is de thermische geleidbaarheid van GaAs in vergelijking met silicium?
  29. Welk voordeel heeft het roosterafgestemd laten groeien van InGaAs met aangepaste samenstelling op een InP-substraat?
  30. Waarom wordt in siliciumfotonica een verbindingshalfgeleider gecombineerd met de laserlichtbron?
  31. Welke combinatie van onderzoekers kreeg in 2014 de Nobelprijs voor de Natuurkunde voor de uitvinding van de blauwe LED met hoge helderheid?
  32. Welke combinatie van elementen vormt galliumarsenide (GaAs)?
  33. Wat is de belangrijkste reden dat LED-verlichting zuiniger is dan gloeilampen?
  34. Welke verbindingshalfgeleider heeft een zeer hoge elektronenmobiliteit en wordt gebruikt in onder meer magnetische sensoren (Hall-elementen)?
  35. Hoe is de gate van de MESFET, die als hoogfrequente GaAs-transistor is gebruikt, opgebouwd?
  36. Welk materiaal met welke kristalstructuur wordt de laatste jaren intensief onderzocht als efficiënt zonnecelmateriaal dat met lage-temperatuurprocessen zoals coating kan worden gemaakt?
  37. Hoe verandert de kleur van het uitgezonden licht van een LED met InGaN als lichtemitterende laag wanneer de indiumsamenstelling (In) wordt vergroot?
  38. Uit welk materiaal bestaat de blauwviolette halfgeleiderlaser met een golflengte van circa 405 nm die wordt gebruikt voor het lezen en schrijven van Blu-ray-schijven?
  39. Welk materiaal waarvan de bandgap via de samenstelling kan worden afgestemd, wordt gebruikt voor hoogwaardige infrarooddetectoren van midden-infrarood tot lange golflengten?
  40. Wat is een van de redenen waarom het moeilijk is om met GaAs CMOS-schakelingen zoals bij silicium te maken?
  41. Hoe wordt silicium-germanium (SiGe) ingedeeld?
  42. Hoe heet een hoogfrequent IC waarin op een substraat zoals GaAs naast transistors ook passieve elementen zoals inductoren en condensatoren zijn geïntegreerd?
  43. Hoe heet de empirische regel dat de roosterconstante van gemengde-kristalhalfgeleiders zoals AlGaAs vrijwel lineair met de samenstelling verandert?
  44. Met welke schakeling wordt een normally-on GaN-HEMT in serie met een laagspannings-silicium-MOSFET veilig als normally-off component gebruikt?
  45. Bij een sterk elektrisch veld in GaAs gaan elektronen naar een ander dal met lagere mobiliteit, waardoor een negatieve differentiële weerstand optreedt: de stroom neemt af terwijl het veld toeneemt. Welke oscillerende component maakt hiervan gebruik?
  46. Hoe heet het probleem dat de externe kwantumefficiëntie van LED's hoog is voor blauw (InGaN-gebaseerd) en rood (AlGaInP-gebaseerd), maar laag in het golflengtegebied van groen tot geel ertussen?
  47. Welke uitspraak over "type I" bij de bandopstelling van een heterojunctie is juist?
  48. Wat is de belangrijkste reden dat met Mg gedoteerd GaN dat met MOCVD is gegroeid direct na de groei hoogohmig is en niet p-type wordt, en welke tegenmaatregel hoort daarbij?
  49. Hoe heet het verschijnsel dat bij InGaN-gebaseerde LED's de lichtopbrengst juist daalt wanneer de stroom wordt verhoogd?
  50. Wat is de juiste volledige naam van LED?

Andere onderwerpen in Componenten