Nederlands
Menu

Verbindingshalfgeleiders

Welke uitspraak over de gebruikelijke diameter van verbindingshalfgeleiderwafers zoals GaAs is juist?

  1. ADe gangbare diameter is 300 mm, net als bij silicium
  2. BDe gangbare diameter is 450 mm, groter dan bij silicium
  3. CDe gangbare diameter is kleiner dan die van siliciumwafers (circa 150 mm of minder)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. De gangbare diameter is kleiner dan die van siliciumwafers (circa 150 mm of minder)

Bij verbindingshalfgeleiders moet de verhouding van twee of meer elementen nauwkeurig worden bewaard en moet onder hoge druk worden gekweekt om verdamping van arseen en fosfor te voorkomen. Grote, defectarme eenkristallen zijn daardoor moeilijk te maken; gebruikelijk zijn circa 150 mm voor GaAs en 100 tot 150 mm voor InP. Vergeleken met de 300 mm van silicium levert één wafer minder chips op en is speciale apparatuur nodig, zodat de kosten hoger zijn. Bij GaN-on-Si en SiC schuift men op naar 200 mm.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welk materiaal wordt typisch gebruikt voor rode tot gele LED's met hoge helderheid?
  2. Welke uitspraak over de kwantumputstructuur in de lichtemitterende laag van halfgeleiderlasers en LED's is juist?
  3. Welke uitspraak over de VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser) is juist?
  4. Waarom is voorzichtigheid geboden bij de behandeling van slijpafval en ander afval van GaAs-wafers?
  5. Waarom is GaN geschikt voor hoogfrequente transistors met hoog vermogen?