Nederlands
Menu

DRAM

Leer met meerkeuzevragen over de 1T1C-celstructuur van DRAM, waarom refresh nodig is en de kenmerken van het uitleesproces.

Oefen 10 vragenWillekeurige vragen uit dit onderwerp · ongeveer 5 minuten Dit onderwerp oefenenAlle vragen over dit onderwerp in willekeurige volgorde Zwakke vragenAlleen de laatst fout beantwoorde vragen opnieuw oefenen

Geheugenbandbreedte →

DRAM: kernpunten

DRAM is een geheugen dat één bit opslaat met één transistor en één condensator. Door de eenvoudige celstructuur is een hoge integratiedichtheid goed haalbaar en wordt DRAM veel gebruikt als werkgeheugen van computers.

De lading van de condensator gaat door lekstroom geleidelijk verloren, dus het geheugen moet met vaste tussenpozen worden herschreven (refresh). Omdat de lading van de cel bij het uitlezen verandert, wordt de waarde na versterking door de sense-versterker teruggeschreven.

Alle vragen over DRAM (50)
  1. Welke opbouw is juist voor een geheugencel van 1 bit van een gewoon DRAM?
  2. Waarom is bij DRAM periodiek verversen (refresh) nodig?
  3. Welke uitspraak over de leesbewerking van DRAM is juist?
  4. Welke combinatie van driedimensionale structuren wordt gebruikt om bij DRAM-cellen voldoende condensatorcapaciteit te behouden?
  5. Welke eigenschap van DRAM is juist?
  6. Wat betekent "DDR (double data rate)" in DDR SDRAM?
  7. Welke lijn in de DRAM-celmatrix is verbonden met de gates van de celtransistors en selecteert de rij die wordt gelezen of geschreven?
  8. Wat gebeurt er gewoonlijk met de tijd dat DRAM-cellen gegevens kunnen vasthouden wanneer de temperatuur stijgt?
  9. Welke uitspraak over een soft error in geheugen is juist?
  10. Welke eigenschap van DRAM ten opzichte van SRAM is juist?
  11. Welke uitspraak over redundantiereparatie, gebruikt om de opbrengst van DRAM te verhogen, is juist?
  12. Wat is de juiste werking van de foutcorrigerende code (ECC) in geheugen?
  13. Waarom wordt bij DRAM de toegangstijd korter als achtereenvolgens dezelfde rij (pagina) wordt benaderd?
  14. Waarom worden High-k-materialen zoals zirkoniumoxide gebruikt voor de diëlektrische laag van DRAM-condensatoren?
  15. Welke uitspraak over de self-refreshmodus van DRAM is juist?
  16. Hoeveel bedraagt de capaciteit van een DRAM-chip van 8 Gbit uitgedrukt in bytes?
  17. Wat betekent de CAS-latentie (CL) van DRAM?
  18. Wat is de belangrijkste toepassing van de DRAM-norm LPDDR?
  19. Welke eigenschap van GDDR, het grafische geheugen van GPU's, is juist?
  20. Wat is het belangrijkste doel van de structuur waarbij bij de celtransistor van recent DRAM de gate-elektrode in een sleuf in het siliciumsubstraat wordt begraven (buried wordline)?
  21. Wat is de belangrijkste reden dat bij DRAM het adres wordt verdeeld in een rijadres en een kolomadres die achtereenvolgens via dezelfde pinnen worden toegevoerd?
  22. Wat is het belangrijkste doel van het verdelen van het DRAM-inwendige in meerdere banken?
  23. Waarom is de spanningsverandering op de bitlijn bij het lezen van DRAM zeer klein?
  24. Welke uitspraak over de gedachte achter 3D DRAM, dat als middel voor grotere capaciteit van toekomstig DRAM wordt ontwikkeld, is juist?
  25. Hoe heet het verschijnsel dat bij DRAM, als een rij in korte tijd vele malen wordt geactiveerd, de gegevens in naburige rijen kunnen omslaan?
  26. Welke lekpaden bepalen vooral de gegevensbewaartijd van DRAM-cellen?
  27. Wat betekent F in "6F²", dat wordt gebruikt om het celoppervlak van DRAM uit te drukken?
  28. Hoe heet de bewerking bij DRAM-toegang waarbij de geopende rij wordt gesloten en de bitlijn wordt teruggebracht naar de middenpotentiaal ter voorbereiding op het activeren van de volgende rij?
  29. Welke functie, ingevoerd bij DDR5, corrigeert fouten in het DRAM-chip zelf?
  30. Hoe heet de prestatiebeperking die ontstaat doordat verbetering van de geheugenbandbreedte en -latentie de prestatiewinst van de processor niet bijhoudt?
  31. Wat is de juiste betekenis van "RAM (random access memory)" in DRAM?
  32. Waarvoor wordt DRAM in pc's en servers vooral gebruikt?
  33. Hoe heet het onderdeel waarbij meerdere DRAM-chips op een kleine printplaat zijn gemonteerd en dat als geheugen van een pc kan worden ingestoken?
  34. Welk kenmerk geeft de "S (synchronous)" in SDRAM aan?
  35. Welke combinatie van de drie belangrijkste fabrikanten met een groot aandeel in de wereldwijde DRAM-markt is juist?
  36. Welke tijd komt het dichtst bij de periode waarin volgens de gangbare DRAM-norm alle cellen eenmaal moeten worden ververst? (normaal temperatuurbereik)
  37. Wat geeft de DRAM-timingspecificatie "tRCD" aan?
  38. Welke uitspraak over burst-overdracht bij DRAM is juist?
  39. Wat komt het dichtst bij de piekbandbreedte van één kanaal DDR4-geheugen met een overdrachtssnelheid van 3.200 MT/s en een databusbreedte van 64 bit?
  40. Wat is het belangrijkste effect van het laten werken van geheugen in "dual channel" in een pc?
  41. Welke uitspraak over de "rank" van een DRAM-module is juist?
  42. Hoeveel chips zijn per rank nodig om met DRAM-chips met een databreedte van 8 bit (x8) een databus van 64 bit breed te vormen (zonder ECC)?
  43. Waar bevindt zich bij de meeste huidige pc-processors de geheugencontroller die het DRAM aanstuurt?
  44. Welke maatregel wordt in DRAM-specificaties gewoonlijk geëist wanneer de chiptemperatuur hoog is (bijvoorbeeld boven 85 °C)?
  45. Welk probleem ten aanzien van refresh doet zich gemakkelijk voor naarmate de DRAM-capaciteit groter wordt?
  46. Welke bitlijnopzet in de DRAM-celmatrix plaatst de paarsgewijze bitlijnen naast elkaar in dezelfde celmatrix?
  47. Welke gedachte ligt achter de "8n-prefetch", zoals gebruikt in onder meer DDR4 SDRAM?
  48. Welke functie bij DRAM van de DDR-familie plaatst de afsluitweerstand voor het onderdrukken van signaalreflecties binnenin de DRAM-chip en maakt het in- en uitschakelen ervan regelbaar?
  49. Sommige DRAM-cellen laten een gegevensbewaartijd zien die onregelmatig steeds langer en korter wordt. Hoe heet dit verschijnsel?
  50. Wat is de belangrijkste reden dat voor het aansturen van de DRAM-wordlijn een verhoogde spanning (VPP) wordt gebruikt die hoger is dan de voedingsspanning?

Vergelijkingen bij dit onderwerp

Andere onderwerpen in Componenten