Verbindingshalfgeleiders

Hoe wordt silicium-germanium (SiGe) ingedeeld?

AIII-V-verbindingshalfgeleider
BGemengde-kristalhalfgeleider (legering) van groep-IV-elementen
CII-VI-verbindingshalfgeleider

Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Gemengde-kristalhalfgeleider (legering) van groep-IV-elementen

SiGe is een gemengde-kristalhalfgeleider (legering) waarin silicium en germanium uit dezelfde groep IV in elke verhouding zijn gemengd. Beide hebben de diamantstructuur en mengen over de gehele samenstellingsrange; naarmate meer Ge wordt toegevoegd, worden de bandgap kleiner en de roosterconstante groter. SiGe sluit goed aan op siliciumprocessen en wordt gebruikt voor de basis van HBT's, voor lagen die in source en drain van pMOS drukspanning aanbrengen en voor opofferlagen bij de fabricage van GAA-transistors.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

Hoe heet een hoogfrequent IC waarin op een substraat zoals GaAs naast transistors ook passieve elementen zoals inductoren en condensatoren zijn geïntegreerd?
Hoe heet de empirische regel dat de roosterconstante van gemengde-kristalhalfgeleiders zoals AlGaAs vrijwel lineair met de samenstelling verandert?
Met welke schakeling wordt een normally-on GaN-HEMT in serie met een laagspannings-silicium-MOSFET veilig als normally-off component gebruikt?
Bij een sterk elektrisch veld in GaAs gaan elektronen naar een ander dal met lagere mobiliteit, waardoor een negatieve differentiële weerstand optreedt: de stroom neemt af terwijl het veld toeneemt. Welke oscillerende component maakt hiervan gebruik?
Hoe heet het probleem dat de externe kwantumefficiëntie van LED's hoog is voor blauw (InGaN-gebaseerd) en rood (AlGaInP-gebaseerd), maar laag in het golflengtegebied van groen tot geel ertussen?