Wat is de thermische geleidbaarheid van GaAs in vergelijking met silicium?

Antwoord: A. Lager (ongeveer een derde van silicium)

De thermische geleidbaarheid van GaAs bedraagt circa 46 W/(m·K), ongeveer een derde van die van silicium (circa 150). Bij componenten met hoog vermogen is daarom een koelontwerp belangrijk: het substraat wordt tot circa 50 tot 100 µm gedund en de warmte wordt afgevoerd via metaal op de achterzijde en doorvoeringen (vias). SiC (circa 400) heeft een hoge thermische geleidbaarheid, wat een van de redenen is dat het wordt gebruikt als substraat voor GaN-componenten met hoog vermogen. Ook InP is met circa 68 relatief laag.