Verbindingshalfgeleiders
Wat is een van de redenen waarom het moeilijk is om met GaAs CMOS-schakelingen zoals bij silicium te maken?
- ADe gatenmobiliteit van GaAs is zeer klein vergeleken met die van elektronen, zodat een p-kanaaltransistor met hoge prestaties moeilijk te maken is
- BDe elektronenmobiliteit van GaAs is te klein
- CGaAs absorbeert geen licht
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: A. De gatenmobiliteit van GaAs is zeer klein vergeleken met die van elektronen, zodat een p-kanaaltransistor met hoge prestaties moeilijk te maken is
De elektronenmobiliteit van GaAs bedraagt circa 8500 cm²/V·s en is groter dan die van silicium, maar de gatenmobiliteit is met circa 400 cm²/V·s klein; het verschil is bijna een factor 20. Voor CMOS zijn n-kanaal- en p-kanaaltransistors met vergelijkbare prestaties nodig, zodat een CMOS met hoge prestaties in GaAs moeilijk te maken is. Ook is het lastig een gate-isolatielaag van goede kwaliteit te maken. Voor geavanceerde logica is daarom onderzocht om InGaAs voor nMOS en Ge voor pMOS te combineren.