Verbindingshalfgeleiders
Hoe is de gate van de MESFET, die als hoogfrequente GaAs-transistor is gebruikt, opgebouwd?
- AEen MOS-structuur met de gate op een dikke oxidelaag
- BEen structuur met een pn-junctie als gate
- CEen structuur met een Schottky-junctie als gate, waarbij metaal rechtstreeks in contact staat met de halfgeleider
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Een structuur met een Schottky-junctie als gate, waarbij metaal rechtstreeks in contact staat met de halfgeleider
Een MESFET (metal-semiconductor FET) heeft als gate een Schottky-junctie, waarbij het gatemetaal rechtstreeks de halfgeleider raakt, en regelt de stroom door de kanaaldikte te variëren via de breedte van de uitputtingslaag. Omdat op GaAs moeilijk een isolatielaag van goede kwaliteit te maken is, wordt deze structuur gebruikt in plaats van een MOS-structuur; ze werd in de jaren 1970 tot 1990 veel toegepast in satellietontvangers en hoogfrequente schakelingen van mobiele telefoons. Tegenwoordig is ze vervangen door HEMT's en HBT's met betere prestaties.