Verbindingshalfgeleiders

Welke onzuiverheid wordt typisch gebruikt om p-type lagen in GaN te maken?

  1. AFosfor (P)
  2. BArseen (As)
  3. CMagnesium (Mg)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Magnesium (Mg)

Voor p-type GaN wordt magnesium gebruikt. Het acceptorniveau ligt echter met circa 0,2 eV diep boven de valentieband, zodat bij kamertemperatuur slechts enkele procenten zijn geïoniseerd. Zelfs bij een hoge dotering van 10¹⁹ cm⁻³ of meer blijft de gatenconcentratie daarom beperkt tot circa 10¹⁷ tot 10¹⁸ cm⁻³. Bovendien is het magnesium direct na de groei inactief doordat het aan waterstof is gebonden en moet het worden geactiveerd, bijvoorbeeld door warmtebehandeling. De ontwikkeling van deze techniek heeft de realisatie van blauwe LED's met hoge helderheid mogelijk gemaakt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Wat is de typische kristalstructuur van GaN?
  2. Welke toepassing is een voorbeeld van het gebruik van HBT's (heterojunction bipolar transistors) op basis van InP of GaAs?
  3. Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer het aan GaAs wordt toegevoegd om n-type te verkrijgen?
  4. Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?
  5. Welke uitspraak over micro-LED-displays is juist?