Welk type substraat wordt in GaN-componenten gewoonlijk gebruikt om de GaN-laag op te laten groeien?

Antwoord: B. Vreemde substraten zoals saffier, SiC en Si

GaN ontleedt gemakkelijk bij hoge temperatuur en hoge druk en kan niet uit een smelt worden getrokken. Het is daarom moeilijk goedkope GaN-substraten met grote diameter te maken, en de GaN-laag wordt epitaxiaal gegroeid op een substraat van een ander materiaal. Voor LED's wordt vaak goedkoop en transparant saffier gebruikt, voor hoogfrequentcomponenten SiC met een goede thermische geleidbaarheid, en voor vermogenscomponenten goedkoop Si met een grote diameter. Cruciaal zijn bufferlaagtechnieken die defecten en kromtrekking door verschillen in roosterconstante en thermische uitzetting onderdrukken.