Waarom is GaN geschikt voor hoogfrequente transistors met hoog vermogen?

Antwoord: A. Omdat het een grote bandgap en een hoge doorslagveldsterkte heeft en bovendien een hoge verzadigingssnelheid van elektronen

De doorslagveldsterkte van GaN is circa tien keer zo hoog als die van Si, zodat het bij hoge spanning kan werken, en de verzadigingssnelheid van elektronen is met circa 2,5×10⁷ cm/s hoog. GaN kan daardoor bij hoge frequenties veel vermogen verwerken. In een HEMT-structuur wordt bovendien een tweedimensionaal elektronengas met een hoge dichtheid van circa 10¹³ cm⁻² verkregen, waardoor de stroomdichtheid groot is en een vermogensdichtheid wordt bereikt die enkele malen hoger is dan bij GaAs. GaN wordt gebruikt in vermogensversterkers van basisstations voor mobiele telefonie, radars en satellietcommunicatie.