Verbindingshalfgeleiders

Welke uitspraak over zonnecellen met meerdere juncties, waarin lagen van verbindingshalfgeleiders met verschillende bandgap op elkaar zijn gestapeld, is juist?

  1. AZe benutten een breed golflengtebereik van zonlicht efficiënt en hebben een hoog omzettingsrendement
  2. BDe materiaalkosten zijn het laagst
  3. CZe kunnen ook stroom opwekken op plaatsen waar geen licht komt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Ze benutten een breed golflengtebereik van zonlicht efficiënt en hebben een hoog omzettingsrendement

Een enkel materiaal kan licht met een energie kleiner dan de bandgap niet absorberen, en bij licht met een grotere energie gaat het overschot verloren als warmte. Bij zonnecellen met meerdere juncties, zoals de drievoudige junctie InGaP/GaAs/Ge, zijn lagen met verschillende bandgap van boven naar beneden in aflopende volgorde van bandgap gestapeld en absorbeert elke laag de golflengte die het best past; zo worden hoge omzettingsrendementen van meer dan 40 % bereikt. Vanwege de hoge kosten worden ze gebruikt in satellieten en in geconcentreerde zonne-energie met lenzen.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welke onzuiverheid wordt typisch gebruikt om p-type lagen in GaN te maken?
  2. Wat is de typische kristalstructuur van GaN?
  3. Welke toepassing is een voorbeeld van het gebruik van HBT's (heterojunction bipolar transistors) op basis van InP of GaAs?
  4. Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer het aan GaAs wordt toegevoegd om n-type te verkrijgen?
  5. Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?