Verbindingshalfgeleiders

Wat is de typische kristalstructuur van GaN?

  1. AWurtzietstructuur (hexagonaal)
  2. BDiamantstructuur
  3. CLichaamsgecentreerd kubische structuur
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Wurtzietstructuur (hexagonaal)

GaN heeft gewoonlijk de hexagonale wurtzietstructuur. Deze structuur mist symmetrie in de richting van de c-as en bestaat uit afwisselende Ga- en N-vlakken, zodat het kristal polair is en spontane polarisatie en door spanning veroorzaakte piëzo-elektrische polarisatie optreden. Dit verklaart het ontstaan van een tweedimensionaal elektronengas met hoge dichtheid aan het AlGaN/GaN-grensvlak, maar in de kwantumputten van LED's scheidt het polarisatieveld elektronen en gaten en verlaagt het zo de efficiëntie. GaAs en vergelijkbare materialen hebben de kubische zinkblendestructuur.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welke toepassing is een voorbeeld van het gebruik van HBT's (heterojunction bipolar transistors) op basis van InP of GaAs?
  2. Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer het aan GaAs wordt toegevoegd om n-type te verkrijgen?
  3. Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?
  4. Welke uitspraak over micro-LED-displays is juist?
  5. Welke structuur wordt door de meeste momenteel gangbare GaN-vermogenscomponenten toegepast?