Welke toepassing is een voorbeeld van het gebruik van HBT's (heterojunction bipolar transistors) op basis van InP of GaAs?

Antwoord: B. Snelle hoogfrequente schakelingen voor optische en draadloze communicatie

Bij HBT's van verbindingshalfgeleiders onderdrukt een emitter met brede bandgap de teruginjectie van gaten, zodat de basis hoog gedoteerd en dun kan zijn, en de hoge elektronenmobiliteit maakt ze snel. HBT's op basis van GaAs (InGaP/GaAs) werken met een enkele voeding en hebben een hoog rendement; zij vormen de hoofdmoot van zendvermogensversterkers in smartphones. HBT's op basis van InP, met een fT van enkele honderden GHz, worden gebruikt in elektronische schakelingen voor optische communicatie boven 100 Gb/s en in onderzoek aan terahertzbanden.