Nederlands
Menu

Verbindingshalfgeleiders

Welke structuur wordt door de meeste momenteel gangbare GaN-vermogenscomponenten toegepast?

  1. AEen laterale HEMT-structuur op een Si-substraat of vergelijkbaar substraat
  2. BEen verticale thyristorstructuur
  3. CEen bipolaire-transistorstructuur
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een laterale HEMT-structuur op een Si-substraat of vergelijkbaar substraat

De meeste huidige GaN-vermogenscomponenten zijn laterale HEMT's waarbij GaN epitaxiaal op een Si-substraat is gegroeid. Goedkope Si-substraten met grote diameter en bestaande Si-fabrieken houden de kosten laag, en dankzij het snelle schakelen zijn ze wijdverbreid in opladers van de 100- tot 650 V-klasse, voedingen van datacenters en automotive-apparatuur. Voor hogere doorslagspanningen en grotere stromen wordt ook onderzoek gedaan naar verticale componenten op GaN-substraten, waarbij de stroom verticaal loopt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welke uitspraak over diamant, ook wel de ultieme halfgeleider genoemd, is juist?
  2. Wat is de thermische geleidbaarheid van GaAs in vergelijking met silicium?
  3. Welk voordeel heeft het roosterafgestemd laten groeien van InGaAs met aangepaste samenstelling op een InP-substraat?
  4. Waarom wordt in siliciumfotonica een verbindingshalfgeleider gecombineerd met de laserlichtbron?
  5. Welke combinatie van onderzoekers kreeg in 2014 de Nobelprijs voor de Natuurkunde voor de uitvinding van de blauwe LED met hoge helderheid?