Verbindingshalfgeleiders

Welke uitspraak over de kwantumputstructuur in de lichtemitterende laag van halfgeleiderlasers en LED's is juist?

  1. AEen structuur waarin een zeer dunne laag met kleine bandgap tussen lagen met grote bandgap ligt, waardoor ladingdragers worden ingesloten en de lichtemissie-efficiëntie toeneemt
  2. BEen structuur van dik opgestapelde metaallagen
  3. CEen structuur zonder lichtemitterende laag
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Een structuur waarin een zeer dunne laag met kleine bandgap tussen lagen met grote bandgap ligt, waardoor ladingdragers worden ingesloten en de lichtemissie-efficiëntie toeneemt

In een kwantumputstructuur worden de ladingdragers ingesloten in een dunne lichtemitterende laag van enkele nm, zodat elektronen en gaten elkaar gemakkelijk ontmoeten en efficiënt licht uitzenden. Is de laag zo dun als de golflengte van het elektron, dan worden de energieniveaus discreet en kan de emissiegolflengte via de laagdikte worden ingesteld. Bij lasers kan de stroom die voor het laseren nodig is (drempelstroom) sterk worden verlaagd; meervoudige kwantumputten (MQW) met meerdere gestapelde putten zijn standaard in LED's en lasers.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welke uitspraak over de VCSEL (vertical-cavity surface-emitting laser) is juist?
  2. Waarom is voorzichtigheid geboden bij de behandeling van slijpafval en ander afval van GaAs-wafers?
  3. Waarom is GaN geschikt voor hoogfrequente transistors met hoog vermogen?
  4. Wat is een van de belangrijkste redenen om SiC als substraat voor GaN-HEMT's te gebruiken?
  5. Welk materiaal wordt vooral gebruikt voor de lichtemitterende laag van diep-UV-LED's voor onder meer desinfectie?