Welk voordeel heeft het roosterafgestemd laten groeien van InGaAs met aangepaste samenstelling op een InP-substraat?

Antwoord: B. Door de roosterconstanten gelijk te maken wordt een kristal van hoge kwaliteit met weinig dislocaties verkregen

Door de samenstelling aan te passen, zoals bij In0,53Ga0,47As, kan de roosterconstante van InGaAs vrijwel gelijk worden gemaakt aan die van InP (circa 0,587 nm); dit heet roosterafstemming. Bij gelijke roosterconstanten ontstaan nauwelijks spanning en dislocaties, zodat ook bij dikke lagen kristallen van hoge kwaliteit worden verkregen. InGaAs met deze samenstelling heeft een bandgap van circa 0,75 eV en kan licht tot 1,7 µm absorberen, wat ideaal is voor fotodetectoren voor optische communicatie; met een elektronenmobiliteit van circa 10000 cm²/V·s wordt het ook in HEMT's gebruikt.