Nederlands
Menu

Verbindingshalfgeleiders

Met welke schakeling wordt een normally-on GaN-HEMT in serie met een laagspannings-silicium-MOSFET veilig als normally-off component gebruikt?

  1. ABrugrectificatie
  2. BDarlingtonschakeling
  3. CCascodeschakeling
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Cascodeschakeling

In een cascodeschakeling wordt een laagspannings-silicium-MOSFET (circa 30 V) in serie geplaatst aan de source-zijde van de GaN-HEMT, en de gate van de HEMT wordt verbonden met de source van de MOSFET. Wanneer de MOSFET wordt uitgeschakeld, wordt de gate van de HEMT negatief voorgespannen en schakelt deze vanzelf uit; het geheel kan dus als normally-off component worden behandeld en de gate-aansturing voor silicium-MOSFET's kan ongewijzigd worden gebruikt. Nadelen zijn het grotere aantal componenten en de invloed van parasitaire elementen van de MOSFET bij hoge snelheid.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Bij een sterk elektrisch veld in GaAs gaan elektronen naar een ander dal met lagere mobiliteit, waardoor een negatieve differentiële weerstand optreedt: de stroom neemt af terwijl het veld toeneemt. Welke oscillerende component maakt hiervan gebruik?
  2. Hoe heet het probleem dat de externe kwantumefficiëntie van LED's hoog is voor blauw (InGaN-gebaseerd) en rood (AlGaInP-gebaseerd), maar laag in het golflengtegebied van groen tot geel ertussen?
  3. Welke uitspraak over "type I" bij de bandopstelling van een heterojunctie is juist?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat met Mg gedoteerd GaN dat met MOCVD is gegroeid direct na de groei hoogohmig is en niet p-type wordt, en welke tegenmaatregel hoort daarbij?
  5. Hoe heet het verschijnsel dat bij InGaN-gebaseerde LED's de lichtopbrengst juist daalt wanneer de stroom wordt verhoogd?