Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?

Antwoord: A. De weerstand van het substraat is zeer hoog, zodat parasitaire capaciteit en signaalverlies klein zijn

Door koolstofonzuiverheden en defecten die diepe niveaus vormen (EL2) elkaar te laten compenseren, kan GaAs een semi-isolerend substraat worden met een soortelijke weerstand van 10⁷ Ω·cm of meer. Signaallekkage via het substraat en parasitaire capaciteit zijn dan klein, zodat transistors eenvoudig van elkaar kunnen worden geïsoleerd en passieve elementen zoals inductoren en transmissielijnen met weinig verlies op hetzelfde substraat kunnen worden gemaakt. Bij silicium veroorzaakt de geleidbaarheid van het substraat verliezen bij hoge frequenties, en daarom worden SOI en substraten met hoge weerstand toegepast.