Verbindingshalfgeleiders

Op welke plaats komt silicium voornamelijk terecht wanneer het aan GaAs wordt toegevoegd om n-type te verkrijgen?

  1. AOp de plaats van arseen (As)
  2. BIn de ruimte tussen de atomen (interstitiële plaats)
  3. COp de plaats van gallium (Ga)
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Op de plaats van gallium (Ga)

Wanneer silicium uit groep IV op de plaats van gallium uit groep III komt, blijft één valentie-elektron over en werkt het als donor, zodat n-type ontstaat. Komt het daarentegen op de plaats van arseen uit groep V, dan ontbreekt er één elektron en werkt het als acceptor. Een onzuiverheid waarvan de rol afhangt van de plaats waarop zij wordt ingebouwd, heet een amfotere onzuiverheid. Onder normale omstandigheden wordt Si gemakkelijk op de Ga-plaats ingebouwd, zodat het de typische n-type onzuiverheid in GaAs is; afhankelijk van de groeicondities kan het ook p-type geven, zodat beheersing van de condities belangrijk is.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Verbindingshalfgeleiders

  1. Welk voordeel heeft het gebruik van een semi-isolerend GaAs-substraat in hoogfrequente GaAs-IC's?
  2. Welke uitspraak over micro-LED-displays is juist?
  3. Welke structuur wordt door de meeste momenteel gangbare GaN-vermogenscomponenten toegepast?
  4. Welke uitspraak over diamant, ook wel de ultieme halfgeleider genoemd, is juist?
  5. Wat is de thermische geleidbaarheid van GaAs in vergelijking met silicium?