Verbindingshalfgeleiders
Welke uitspraak over galliumoxide (Ga2O3), dat als vermogenshalfgeleider van de volgende generatie wordt onderzocht, is juist?
- ADe bandgap is kleiner dan die van Si
- BHet gedraagt zich bij kamertemperatuur als een metaal
- CHet heeft een nog grotere bandgap (circa 4,5 tot 4,9 eV) dan SiC en GaN
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: C. Het heeft een nog grotere bandgap (circa 4,5 tot 4,9 eV) dan SiC en GaN
Ga2O3 heeft met circa 4,5 tot 4,9 eV een grotere bandgap dan SiC en GaN. De doorslagveldsterkte wordt geschat op circa 8 MV/cm, zodat een nog hogere doorslagspanning en lagere verliezen worden verwacht. Anders dan SiC en GaN kan Ga2O3 uit een smelt worden gekweekt, waardoor goedkope substraten met grote diameter mogelijk lijken; Japanse bedrijven en onderzoeksinstellingen lopen voorop in de ontwikkeling. Knelpunten zijn de moeilijke vorming van p-type materiaal en de lage thermische geleidbaarheid.