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Semi-conducteurs composés

Apprenez les caractéristiques des semi-conducteurs composés tels que GaAs, GaN et InP, ainsi que la différence entre bande interdite directe et indirecte, avec des QCM.

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Semi-conducteurs composés : points clés

Les semi-conducteurs composés sont formés de plusieurs éléments, comme le GaAs (arséniure de gallium) et le GaN (nitrure de gallium). Les associations d'éléments des groupes III et V (III-V) sont typiques.

Certains ont une mobilité électronique supérieure à celle du silicium, d'autres une bande interdite directe qui émet efficacement de la lumière, d'autres encore une large bande interdite. Ils servent dans les composants haute fréquence, les LED et lasers, ainsi que les composants de puissance.

Toutes les questions sur Semi-conducteurs composés (50)
  1. Quelle est la structure de bandes correcte de l'arséniure de gallium (GaAs) ?
  2. Lequel des matériaux suivants est un semi-conducteur composé III-V ?
  3. Quelle est la principale raison pour laquelle le GaAs a été utilisé dans les amplificateurs haute fréquence des téléphones mobiles ?
  4. Quelle est la principale application des semi-conducteurs composés à base d'InP (phosphure d'indium) ?
  5. Quel matériau est principalement utilisé dans la couche émettrice des LED bleues ?
  6. Quel est l'avantage des semi-conducteurs en alliage tels que l'AlGaAs ?
  7. Quelle est une application typique des HEMT (transistors à haute mobilité électronique) ?
  8. Quel substrat est couramment utilisé pour la croissance des couches de GaN dans les composants GaN ?
  9. Quelle est une caractéristique de l'oxyde de gallium (Ga2O3), étudié comme matériau de puissance de nouvelle génération ?
  10. Quelle est la longueur d'onde approximative de la lumière émise par le GaAs, de bande interdite d'environ 1,42 eV ?
  11. Qu'est-ce qui est correct concernant le diamètre usuel des plaquettes de semi-conducteurs composés comme le GaAs ?
  12. Quel matériau est typiquement utilisé pour les LED rouges à jaunes à haute luminosité ?
  13. Quelle description de la structure à puits quantiques utilisée dans la couche émettrice des lasers et des LED est correcte ?
  14. Quelle est une caractéristique correcte du VCSEL (laser à cavité verticale émettant par la surface) ?
  15. Pourquoi les déchets et résidus d'usinage des plaquettes de GaAs exigent-ils des précautions ?
  16. Pourquoi le GaN convient-il aux transistors haute fréquence et forte puissance ?
  17. Quelle est l'une des principales raisons d'utiliser le SiC comme substrat des HEMT GaN ?
  18. Quel matériau est principalement utilisé dans la couche émettrice des LED UV profond, notamment pour la stérilisation ?
  19. Quelle caractéristique des cellules solaires multijonctions, formées d'un empilement de couches de semi-conducteurs composés de bandes interdites différentes, est correcte ?
  20. Quelle impureté est typiquement utilisée pour réaliser des couches de type p dans le GaN ?
  21. Quelle est la structure cristalline typique du GaN ?
  22. Quel est un exemple correct d'application des HBT (transistors bipolaires à hétérojonction) en InP ou GaAs ?
  23. Lors du dopage n du GaAs par le silicium, quel site le silicium occupe-t-il principalement ?
  24. Quel est l'avantage d'un substrat GaAs semi-isolant dans les circuits intégrés haute fréquence en GaAs ?
  25. Quelle caractéristique des écrans à micro-LED est correcte ?
  26. Quelle structure la plupart des composants de puissance GaN actuellement répandus adoptent-ils ?
  27. Quelle caractéristique du diamant, parfois qualifié de semi-conducteur ultime, est correcte ?
  28. Comment se situe la conductivité thermique du GaAs par rapport à celle du silicium ?
  29. Quel est l'avantage de faire croître sur un substrat InP de l'InGaAs de composition ajustée en accord de maille ?
  30. En photonique silicium, pourquoi associe-t-on des semi-conducteurs composés comme source laser ?
  31. Quel trio de chercheurs a reçu le prix Nobel de physique 2014 pour l'invention de la LED bleue à haute luminosité ?
  32. Quelle combinaison d'éléments constitue l'arséniure de gallium (GaAs) ?
  33. Quelle est la principale raison pour laquelle l'éclairage à LED économise l'énergie par rapport aux lampes à incandescence ?
  34. Quel semi-conducteur composé, à très forte mobilité électronique, est utilisé dans les capteurs magnétiques (capteurs à effet Hall) ?
  35. Quelle est la structure de grille correcte du MESFET, utilisé comme transistor haute fréquence en GaAs ?
  36. Quel matériau, défini par sa structure cristalline, fait l'objet de nombreuses recherches comme matériau de cellules solaires à haut rendement réalisable par des procédés basse température tels que l'enduction ?
  37. Dans une LED à couche émettrice en InGaN, comment la couleur d'émission évolue-t-elle lorsque la fraction d'indium (In) augmente ?
  38. Quel est le matériau du laser bleu-violet d'environ 405 nm utilisé pour la lecture et l'écriture des disques Blu-ray ?
  39. Quel matériau, dont la bande interdite est ajustable par la composition, a été utilisé pour les détecteurs infrarouges hautes performances de l'infrarouge moyen à l'infrarouge lointain ?
  40. Quelle est l'une des raisons pour lesquelles il est difficile de réaliser des circuits CMOS en GaAs comme en silicium ?
  41. Quelle est la classification correcte du silicium-germanium (SiGe) ?
  42. Comment appelle-t-on un circuit intégré haute fréquence intégrant, sur un substrat tel que le GaAs, des transistors et des composants passifs comme des inductances et des condensateurs ?
  43. Comment appelle-t-on la règle empirique selon laquelle le paramètre de maille d'un semi-conducteur en alliage comme l'AlGaAs varie de façon quasi linéaire avec la composition ?
  44. Quelle configuration associe en série un HEMT GaN normalement passant et un MOSFET silicium basse tension afin de l'utiliser en toute sécurité en fonctionnement normalement bloqué ?
  45. Sous un champ électrique intense dans le GaAs, les électrons passent dans une autre vallée de plus faible mobilité et une résistance différentielle négative apparaît, le courant diminuant lorsque le champ augmente. Quel composant oscillateur exploite ce phénomène ?
  46. Comment appelle-t-on le problème selon lequel le rendement quantique externe des LED est élevé dans le bleu (InGaN) et le rouge (AlGaInP) mais faible dans la plage intermédiaire du vert au jaune ?
  47. Quelle description de l'alignement de bandes de « type I » d'une hétérojonction est correcte ?
  48. Quelle combinaison donne correctement la principale raison pour laquelle le GaN dopé au magnésium par MOCVD est très résistif et non de type p juste après la croissance, et la contre-mesure correspondante ?
  49. Comment appelle-t-on le phénomène par lequel le rendement lumineux des LED InGaN diminue lorsque le courant augmente ?
  50. Quel est le nom complet correct de LED ?

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